硅片的蚀刻气体（特种气体）主要是氟基气体,包括四氟化碳、四氟化碳/氧气、六氟化硫、六氟乙烷/氧气、三氟化氮等。但由于其各向同性,选择性较差,因此改进后的蚀刻气体通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)气体。反应后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。铝和金属复合层的蚀刻通常采用氯基气体,如CCl4、Cl2、BCl3等。产物主要包括AlCl3等

 

蚀刻是采用化学和物理方法,有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。刻蚀分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻是利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行蚀刻。干法蚀刻利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应,或通过轰击等物理作用而达到蚀刻的目的。其主要介质是气体。干法蚀刻的优点是各向异性(即垂直方向蚀刻速率远大于横向速率)明显、特征尺寸控制良好、化学品使用和处理费用低、蚀刻速率高、均匀性好、良率高等。常用的干法刻蚀是等离子体蚀刻。

 

蚀刻气体气体工业名词，蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜，金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差小，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强，工艺控制精确，方便，无脱胶现象，无基片损伤和沾污，所以其应用范围日益广泛。