-
过度吸氧的负作用有哪些
早在19世纪中叶,英国科学家保罗·伯特就发现动物在呼吸纯氧时会中毒。如果一个人处于大于0.05MPa(半大气压)的纯氧环境中,它对所有细胞都有毒。如果吸入时间过长,他可能会患上“氧气中毒”。肺的毛细血管屏障被破坏,导致肺水肿、肺充血和出血,严重损害呼吸功能,继而造成器官缺氧损伤。在0.1MPa(1-大气)的纯氧环境中,特殊气体网络中的人只能存活24小时,并发生肺炎,最终导致呼吸衰竭和窒息。人类可以在0.2 MPa(2个大气压)的高压纯氧环境中停留数小时至最多两小时,更多 +
-
乙烷气体的毒性及使用安全
乙烷是易燃易爆气体。其自然温度、燃烧热和空气中的爆炸极限。乙烷的爆炸浓度相对较低,因此无论生产现场、储存、运输和使用环境如何,都应按照相关规范配置防火防爆设备。所有装满乙烷的容器必须按照相关规定进行称重和填充。严禁过度拥挤。所有燃料气瓶的阀门接口应不同于惰性气体的阀门接口,应为带反螺纹(逆时针)的螺纹接口。 处理可浸泡在低温泄漏乙烷液体中的多孔材料(如珍珠岩粘合剂、隔热泡沫等)时应特别小心。必须将其加热至常温,并且在起火之前,必须用惰性气体替换多孔材料中吸收的可燃气体。 直接接触液态乙烷会导致冻更多 +
-
氦气在地球的哪些地方存在,氦气是怎样形成的?
氦是人类已知的第二种轻气体,仅次于氢。但氦的许多应用,无论是在科学领域还是非科学领域,都是有益和实用的。氦比空气轻得多,是一种惰性气体,这意味着它在与空气和明火接触时不会燃烧,而与氢接触时则不会燃烧。 (这对那些想要在生日派对上放气球的孩子来说不是好消息!) 除了液氦比空气轻之外,液氦在科学中的作用也是令人难以置信的。沸点为4开尔文的液氦被用来冷却地球上一些最强大的电磁铁,包括费米实验室和大型强子对撞机(LHC)。它是人类已知的第一种超流体,因为这种液体具有一些有趣的性质,包括完全没有粘度。一旦你让更多 +
-
惰性稀有气体在霓虹灯管内的作用
霓虹灯可分为两类:填充惰性气体的灯和填充氩汞气体并在管内壁涂有荧光粉的灯。放电过程中前者辐射原子的特征光谱;后者通过在放电过程中激发汞原子产生253.7 nm紫外光子辐射,这些紫外光子刺激荧光粉形成量子转换并发光。 仅使用填充惰性气体的灯型,惰性气体的主要功能如下: 1.参与原子的受激发射,例如充满氖的霓虹灯发射红色光谱; 2.有效维持放电过程,防止电子自由程过大,使自由电子在激发和电离过程发生之前自然消失; 3.控制电子迁移率,即控制放电管的电导率,以确定氖管中的电场强度,并使氖管的电压降;更多 +
-
准分子激光材料加工--打孔
在材料加工中,钻孔是激光在工业中最早的应用之一。当时使用红宝石激光器是因为它们具有敏锐的启动特性。目前,脉冲Nd:YAG激光器主要用于大量钻井作业。 作为一种合适的技术,激光钻孔主要用于钻取薄膜冷却孔。它用于钻削燃气轮机部件,如叶片、叶片、燃烧室、加力燃烧室和其他部件,如燃油柴油发动机喷油器和金属丝挤压用硬模具。尽管激光钻孔速度很快,但它仍然必须与电火花加工(EDM)技术竞争,因为旋转空心电极和直线电机高压供油技术的发展大大提高了EDM的钻孔速度,即从质量角度来看,该加工技术的性能优于激光打孔。更多 +
-
氙气Xe-氪气-Kr-卤素气体--电光源照明混合气
电光源分类 光源可分为自然光源和人工光源。就人造光源而言,以电的形式发光的光源统称为电光源。根据电能转化为光能的不同形式,电光源可分为以下几类:气体放电光源、热辐射光源、固体光源和激光光源。前三种光源属于非相干光源,激光光源属于一种新型相干光源。光源研究是一门特殊的技术学科,包括光学、原子物理、电真空和色度学等多个学科。本工作主要针对气体放电光源和电光源用混合气体,其他类型的电光源仅作简要介绍。 1.1气体放电光源 气体放电光源是放置在气体中的两个电极之间以发光的光源。气体放电光源因其高输出光而得更多 +
-
氦气He冷机“当代冰蓄低温工程最佳冷源方式”
空调已经被人们广泛使用和深入使用。随着社会的发展和科学技术的进步,人们对能源消费提出了更高的要求。如何选择冰蓄冷空调和使用冰箱已成为当前科学研究的重要课题。使用绿色制冷剂,如氦气、冰箱、溴机和无氯电动制冷螺杆机,已从倡导迅速演变为紧迫性和必然性。 “氦气机”蓄冰低温区域冷却和低温送风空调的优点: 1.“氦气发动机”使用氦气作为制冷剂,这是一个不错的选择,因为氦气是一种纯天然无污染的绿色制冷剂,不会造成空气污染或温室效应。 2.氦机冷却广泛应用于深冷领更多 +
-
三氯氢硅还原法制取高纯硅的化学原理
SiHCl3的合成 第一步:由硅石制取粗硅 硅石(SiO2)和适量的焦炭混合,并在电炉内加热至1600~1800℃ 可制得纯度为95%~99%的粗硅。其反应式如下: SiO2+3C=SiC+2CO(g)↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO(g)↑ 总反应式: SiO2+2C=Si+2CO(g)↑ 生成的硅由电炉底部放出,浇铸成锭。用此法生产的粗硅经酸处理后,其纯度可达到99.9%。 第二步:SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氢气体和粗硅粉在合成更多 +