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四氯化硅 纯度6N/8N/10N
中文名：四氯化硅更多 +
英文名：silicon tetrachloride
化学式：SiCl4
纯度：99.9999%（6N），99.999999(8N)
99.99999999（10N）
包装：20T标准集装箱罐
275Kg包装罐，100Kg 包装罐
各种纯度，各种规格均有售，咨询客服吧！
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四氯化硅产业：市场前景看好
四氯化硅是硅合成和多晶硅生产的重要原料，具有广泛应用前景和良好市场发展趋势。光伏产业的快速发展推动了四氯化硅需求的增加，而工业硅作为其重要原料之一，也在产能和产量上持续增长。武汉纽瑞德特种气体专业提供四氯化硅等气体产品，为相关产业提供保障。更多 +
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硅烷VS四氯化硅：有机与无机的博弈
硅烷和四氯化硅都是含有硅的化合物，但是它们是不同的化合物，有着不同的用途和性质。本文探讨了硅烷和四氯化硅之间的区别、用途、性质等方面，让读者更加了解这两种化合物。更多 +
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四氯化硅和四氯化碳：性质与用途差异解析
四氯化硅和四氯化碳是两种常见化合物，在化学性质和用途上存在一些相似之处，但也有一些显著的差异。本文比较了它们的性质和应用，帮助读者更全面了解这两种化合物的异同，并了解它们在不同行业的具体用途。更多 +
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四氯化硅：未来光纤通信的关键之物
四氯化硅是一种独特的化学物质，具有广泛的应用前景。在半导体、光纤等领域，四氯化硅发挥着重要的作用，对高科技产业的发展具有重要意义。然而，其生产和使用需要注意安全和环境保护。通过加强技术研发、环境保护和国际合作，我们可以进一步挖掘四氯化硅的潜力，为未来的技术和工业发展创造更多的价值。更多 +
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气体在半导体外延中起到的作用
外延生长本质上是一个化学反应过程。用于硅外延生长的主要气体源是氢和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氢硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷经常被用作气体源以降低生长温度。气源的选择主要取决于外延层的生长条件和规格，其中生长温度是选择气源的最重要因素。硅外延层的生长速率和生长温度之间的关系。 显示了两个不同的增长区域。在低温区域（区域A）中，硅外延层的生长速率与温度成指数关系，这意味着它们由表面反应控制；在高温范围（区域B），生长速率与温度几乎没有直接关系，表明它们受质量传输更多 +
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四氯化硅氢还原法制取高纯硅的化学原理
工业粗硅氯化生产四氯化硅 目前，四氯化硅的工业处理工艺一般为直接氯化工艺，即工业粗硅在加热条件下与氯直接反应生成四氯化硅。在工业上常用的不锈钢（或石英）氯化炉中，硅铁被装入氯化炉。氯从氯化炉底部引入，当加热到200~300℃时，反应开始产生SiCl4。化学反应如下： Si-2Cl2、SiCl4 生成的SiCl4以气体状态从熔炉上部转移到电容器，以液体状态冷却，然后流入储罐。 在生产中，氯化温度一般控制在450～500℃，一方面可以提高生产率，另一方面可以保证质量。因为温度低时反应速度慢，副产物S更多 +
